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厂商型号

FQB5P10TM 

产品描述

MOSFET 100V P-Channel QFET

内部编号

3-FQB5P10TM

#1

数量:27
1+¥6.3951
25+¥5.9329
100+¥5.7017
500+¥5.4705
1000+¥5.2394
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:27
1+¥6.3951
25+¥5.9329
100+¥5.7017
500+¥5.4705
1000+¥5.2394
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:0
最小起订量:1
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FQB5P10TM产品详细规格

规格书 D2-PAK Tape and Reel Data
标准包装 800
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 100V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 4.5A
Rds(最大)@ ID,VGS 1.05 Ohm @ 2.25A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 8.2nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 250pF @ 25V
功率 - 最大 3.75W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 D²PAK
包装材料 Tape & Reel (TR)
最大门源电压 ±30
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
通道模式 Enhancement
标准包装名称 D2PAK
最低工作温度 -55
渠道类型 P
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 1050@10V
最大漏源电压 100
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 D2PAK
最大功率耗散 3750
最大连续漏极电流 4.5
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 4.5A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 4V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 100V
标准包装 800
供应商设备封装 D²PAK
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.05 Ohm @ 2.25A, 10V
FET型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.75W
封装/外壳 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
输入电容(Ciss ) @ VDS 250pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 8.2nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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